اين مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده فوق پهن باند با توان مصرفی کم و بهره بالا در باند فرکانسی GHz10.6-3.1 که با تکنولوژی TSMC0.18µm شبیه سازی شده را شرح می دهد. با استفاده از تکنیک جریان بازگشتی توان مصرفی کاهش یافته است و تکنیک حذف نویز راهکار جدیدی برای افزایش بهره مدار ارائه می دهد. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره dB 14.3، تطبیق امپدانس ورودی کمتر ازdB 10- ، مینیمم عدد نویز dB 3.5 را نشان می دهد.تقویت کننده کم نویز پیشنهادی mw 10.7 توان به ازای منبع تغذیه v 1.5 مصرف می کند.
