چکیده :
دریافت مقاله
با پرداخت الکترونیک
در اين مقاله، ما يك مدل ساده براي محاسبه ويژه مقادير و ویژه‌بردارهای دستگاه هامیلتونی با ساختار بالک و نیمه‌هادی InGaAsP بررسی می‌نماییم. براي توصيف دقيق سيستم، ساختار نوار حفره‌ها را با استفاده از هاميلتوني لوتينگر-كوهن در حضور تنش بررسي نموده‌ایم. تنش باعث تغييرات در ساختار نواري می‌شود. تحت يك تنش مثبت نوار حفره‌های سنگين به بالاي نوار حفره‌های سبك انتقال پيدا می‌کنند مادامی‌که تحت تنش منفی رفتار سيستم کاملاً برعكس عمل می‌کند. ما اين تغييرات را محاسبه کرده‌ایم.
کلید واژگان :تقویت‌کننده نوری نیمه‌هادی، تنش، جرم مولی، هامیلتونی
ارزش ریالی : 300000 ریال
با پرداخت الکترونیک
جزئیات مقاله
- کد شناسه : 6146350871058756
- سال انتشار : 1394
- نوع مقاله : مقاله کامل پذیرفته شده در کنفرانس ها
- زبان : فارسی
- محل پذیرش : کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی در علوم، مهندسی و فناوری با محوریت پژوھشھای نیاز محور
- برگزار کنندگان : مؤسسه فراز اندیشان دانش بین الملل با شماره ثبت: 4739 و شناسه ملی: 14005198290
- تاریخ ثبت : 1395/02/28 22:41:50
- ثبت کننده : آرام قادری
- تعداد بازدید : 169
- تعداد فروش : 0