حسگر میدان مغناطیسی مبتنی بر فیبر نوری نازک شده

میدان مغناطیسی به عنوان عنصر کلیدی در صنایع مختلف مورد توجه است که می‌توان به تصویربرداری تشدید مغناطیسی ، ضربان‌سنجی مغناطیسی، بیومغناطیس، مطالعه مغناطیس‌سپهر و ... اشاره نمود. استفاده از سرعت نور در سنجش تغییرات، مزیت نرخ نمونه‌برداری و سرعت بالای نانومواد مغناطیسی در برابر تغییر سریع ممان مغناطیسی مزیت افزوده حسگر است. نازک‌سازی فیبر نوری باعث افزایش میرایی و نفوذ نور (میدان میرا) به محیط خارجی می‌شود و با اندرکنش میدان با لایه پوششی، حساسیت در حسگر ایجاد می‌شود. با توجه به نوع نازک‌شدگی، می‌توان مد‌های انتشاری فیبر نوری را کنترل نمود. حسگر حاضر، مبتنی بر تغییر شدت نور (لیزر نیمه‌هادی با طول موج 1550 نانومتر) بوده که با فتودیود حساس در همان محدوده طول موجی سنجیده می‌شود. برای حسگری میدان مغناطیسی، پوشش ماده تعاملی دائمی لازم است. برای کنترل اندازه، لایه‌نشانی و استفاده از مزیت‌های گرافن، لایه نانوکامپوزیت گرافن-مگنتیت استفاده شد. با تغییر میدان مغناطیسی، اندرکنش‌های حوزه‌(یا تک‌حوزه)‌های مغناطیسی باعث تغییر ضریب شکست و شدت نور می‌شود. فیبر نوری استفاده شده، تک‌مد به قطر پوسته 125 و هسته 9 میکرون است که به روش گرما-کششی نازک‌شده و حساسیت خطی (nW/mT) 98.7 تا (nW/mT) 324 را با واکنش سریع بدست می‌دهد.