چکیده :
دریافت مقاله
با پرداخت الکترونیک
The performance of copper indium gallium diselenide (CIGS) thin film solar cell has been numerically simulated with different buffer and absorber layers thickness. The cell structure based on CIGS compound semiconductor as the absorber layer, indium sulfide as a buffer layer, un-doped (i) and n-doped zinc oxide as a window layer has been simulated using the simulation program called SCAPS-1D. This study aimed to find the optimum thickness of buffer and absorber layer for a CIGS thin film solar cells with indium sulfide buffer layer. It is found that the optimum thickness of the buffer layer is from 40nm to 50nm and for the absorber layer is in the range of 2000nm to 3000nm.
کلید واژگان :CIGS, InxSy, SCAPS-1D, Thin film solar cells.
ارزش ریالی : 300000 ریال
با پرداخت الکترونیک
جزئیات مقاله
- کد شناسه : 6142106091551281
- سال انتشار : 2013
- نوع مقاله : مقاله کامل پذیرفته شده در کنفرانس ها
- زبان : انگلیسی
- محل پذیرش : 2013 IEEE Conference on Sustainable Utilization and Development in Engineering and Technology
- برگزار کنندگان : Multimedia University, Malaysia
- تاریخ ثبت : 1393/10/22 14:38:35
- ثبت کننده : نیما خوش سیرت
- تعداد بازدید : 288
- تعداد فروش : 0