اين مقاله ساختار جدیدی از یک تقویت کننده فوق پهن باند با توان مصرفی کم و بهره بالا در باند فرکانسی GHz10.6-3.1 که با تکنولوژی TSMC0.18µm شبیه سازی شده را شرح می دهد. با استفاده از تکنیک حذف نویز راهکار جدیدی برای افزایش بهره مدار ارائه می دهد. نتایج شبیه سازی این مدار ماکزیمم بهره dB 10.82، تطبیق امپدانس ورودی کمتر ازdB 10- ، مینیمم عدد نویز dB 4 را نشان می دهد.تقویت کننده کم نویز پیشنهادی mw 22توان به ازای منبع تغذیه v 1.8 مصرف می کند.
