در اين مقاله با شبيه‌سازي عددي به‌کمک روش حجم محدود، خنك‌کاری سلول‌های خورشيدي (فتوولتائیک) در جابه‌جایی ترکیبی نانوسیال با خواص متغیر مطالعه شده است. ديواره‌هاي شيب‌دار محفظه، عایق بوده و سلول‌هاي خورشيدي سیلیکونی دما ثابت فرض شده‌اند. براي محاسبه‌ی لزجت و ضریب هدایت حرارتی نانوسيال که متغیر با دما در نظر گرفته شده‌اند به‌ترتیب از مدل معصومی و شیائو که به‌تازگی ارائه شده‌اند استفاده می‌شود. مطالعه برای اعداد رينولدز 5 تا 200 و كسر حجمي صفر تا 5% نانوذره اکسید آلومینیوم انجام شده است. نتایج عددی نشان می‌دهد که عدد ناسلت متوسط با افزايش كسر حجمي نانوذره در همه اعداد رینولدز زياد شده و در نتیجه خنک‌کاری سلول‌های خورشیدی بهتر انجام می‌شود. نتایج بدست آمده از برنامه محاسباتی این مطالعه با نتایج المیر و همکاران انطباق خوبی دارد.
