در این مقاله، رفتار تقویت‌کننده نوری نیمه‌هادی (SOA) تنشی و تأثیر مدهای قطبش نور ورودی (TE و TM) بر عملکرد آن بررسی‌شده است. تقویت‌کننده در ابعاد حجیم فرض شده است. ابتدا اثر تنش بر تغییر حالات انرژی در ساختار بالک و در ادامه تأثیر مدهای قطبش بر بهره تقویت‌کننده نشان داده می‌شود. بر همین اساس نیز مدولاسیون خودبه‌خودی فاز در این افزاره پرکاربرد اپتوالکترونیکی با تغییر مقدار تنش و استرس ساختار در ارتباط است و می‌توان میزان حساسیت آن را به مد قطبش سیگنال ورودی مشاهده کرد. در بخش پایانی با استفاده از معادلات نرخ چگالی حامل‌ها و دامنه سیگنال ورودی، توان خروجی تقویت‌کننده در جریان‌های مختلف بایاس، شبیه‌سازی و نتایج ارائه گردیده است.
