ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET ها) رقیب تکنولوژی MOSFET معمولی با توجه به قابلیت های درایو جریان بالاتر، حمل و نقل بالستیک، حاصلضرب تاخیر در توان کمتر و پایداری حرارتی بالاترشان می-باشند. بر اساس این خواص امیدوار کننده GNRFET ها، در این مقاله یک اسیلاتور حلقوی موج میلیمتری براساس GNRFET که در محدوده فرکانسی 213 گیگاهرتز و فراتر کار می¬کند در تکنولوژی 16 نانومتر معرفی شده است. به خاطر سادگی در طراحی RF، اسیلاتور بر اساس وارونگرهای GNRFET است. توان مصرفی میانگین اسیلاتور در محدوده فرکانس 213 گیگا هرتز 2/35میکرو وات با دامنه هارمونیک پایه حدود 0/97-دسی بل است. این مقادیر براساس شناخت ما برای نخستین مورد گزارش شده در مقالات در زمینه طراحی های اسیلاتور مبتنی بر GNRFET هستند.
کلید واژگان :
رانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)، موج میلیمتری، اسیلاتور حلقوی، حاصلضرب تاخیر در توان (PDP).
