این مقاله کاربردی از روش آنالیز هوموتوپی که اخیرا به دست آمده است را شرح می¬دهد¬ که برای به دست آوردن تقریب راه حل معادله غیرخطی پواسن - بولتزمن در افزاره¬های نیمه¬هادی استفاده می¬شود. این مقاله یک راه حل تحلیلی برای توزیع پتانسیل در یک DG-MOSEFT ( ترانزیستور اثر میدانی تشکیل شده از فلز - اکسید- نیمه¬هادی با دو گیت) است.DG-MOSEFT یکی از پیشرفته¬ترین ساختارها را در تکنولوژی نیمه¬هادی دارد تمرکز اصلی روی ساخت آن در صنعت نیمه¬هادی است.
