در این پژوهش جابه‌جایی اجباری نانو سیال آب-Al_2 O_3 درون میکروکانال صفحه موازی در معرض یک میدان مغناطیسی یکنواخت به‌صورت عددی بررسی‌شده است. میکروکانال از دو صفحه موازی تشکیل‌شده و در ناحیه میانی میکروکانال دیواره‌ها تحت شار حرارتی و میدان مغناطیسی یکنواخت می‌باشند. شرط عدم لغزش بر روی دیوارها در نظر گرفته‌ایم. معادلات بقاء جرم، مومنتم و انرژی در حالت دوبعدی به روش تفاضل محدود مبتنی بر حجم کنترل جبری شده و براي توليد شبكه، از آرايش شبكه جابه‌جاشده استفاده‌شده است. معادلات كوپل فشار و سرعت نیز با کمک الگوریتم سیمپل به‌صورت هم‌زمان حل‌شده‌اند. صحت نتايج ازلحاظ هيدروديناميكي و حرارتي با مقايسه نتايج عددي با نتايج تحلیلی و عددي موجود، تأییدشده است. نتایج نشان می‌دهد با افزایش عدد هارتمن، سرعت در خط مرکز کاهش، اما سرعت در نزدیکی سطح، افزایش یافته و نرخ انتقال حرارت افزایش می‌یابد. همچنین با افزایش عدد ژول، عدد ناسلت متوسط کاهش می‌یابد.
