از آنجایی که اتلاف توان پویا در CMOS متناسب با Vdd2است، عملکرد ولتاژ پایین مدار یک مسئله مهم می¬باشد. در این مقاله، یک XOR جدید ولتاژ پایین پیشنهاد شده است که با استفاده از ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیاده سازی شده است. XOR پیشنهادی می¬تواند در مدارات جمع کننده استفاده شود. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.8 V) می¬باشد. چندین مدار XOR به طور کامل با استفاده از HSPICE با تکنولوژی 32nm CMOS و 32nm CNTFET در یک ولتاژ تغذیه کم شبیه سازی شده اند. مدار XOR پیشنهادی با مدارهای قبلاً شناخته شده مقایسه شده و عملکرد ممتاز آن نشان داده شده است. شبیه سازی ها نشان می¬دهند که XOR ولتاژ پایین جدید، تلفات توان کمتر و حاصلضرب تاخیر در توان(PDP) کوچکتری در مقایسه با سایر مدارات XOR قبلی دارد.
کلید واژگان :مدارهای تمام جمع کننده، XOR، ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی ((CNTFET، سوئینگ ولتاژ کامل، حاصلضرب تاخیر در توان(PDP) .
ارزش ریالی : 300000 ریال
با پرداخت الکترونیک
جزئیات مقاله
- کد شناسه : 6149860534732351
- سال انتشار : 1395
- نوع مقاله : مقاله کامل پذیرفته شده در کنفرانس ها
- زبان : فارسی
- محل پذیرش : کنفرانس ملی نانوساختارها، علوم و مهندسی نانو
- برگزار کنندگان : دانشگاه آزاد اسلامی واحد کاشان
- تاریخ ثبت : 1396/04/07 03:45:47
- ثبت کننده : امیر باغی رهین
- تعداد بازدید : 167
- تعداد فروش : 0