در این مقاله یک سلول تمام جمع کننده یک بیتی مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) سرعت بالا و با کارایی بالا برای کاربردهای ولتاژ پایین ارائه شده است. سلول تمام جمع کننده پیشنهاد شده براساس اصلاح تمام جمع کننده 28 ترانزیستوری CMOS می¬باشد که سیگنالهای Sum و Cout را به شیوه ای سری تولید می¬کند و دارای 24 ترانزیستور می¬باشد. این طرح از ویژگی های منحصر به فرد GNRFET های شبه MOSFET برای دستیابی به عملکرد بالا بهره می¬گیرد. شبیه سازی ها با استفاده از HSPICE Synopsys با فن آوری های16nm-CMOS و 16nm-GNRFET انجام شده اند. نتایج شبیه سازی برتری طراحی پیشنهادی از نظر سرعت و حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) را در مقایسه با سلول تمام جمع کننده کلاسیک مبتنی بر CMOS نشان می¬دهد.
کلید واژگان :
سلول تمام جمع کننده یک بیتی، ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET)، حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) ، ولتاژ پایین، ادوات نانو.
