نمایش / عدم نمایش بخش جستجو

Improved Performance of Double-recessed 4H-SiC MESFETs Structure with Multi-recessed Drift Region 1395/05/06 13:43:24

نویسندگان : Ali Shirzad Nilsaz Seyed Ebrahim Hosseini Hossein GHAYOUMI ZADEH
زبان : انگلیسی سال انتشار : 2011 محل پذیرش : nternational Conference – 4th Edition Electronics, Computers and Artificial Intelligence