نمایش / عدم نمایش بخش جستجو

یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی جدید دو طبقه مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافینی (GNRFET) در تکنولوژی 16 نانومتر 1396/06/14 14:44:16

نویسندگان : امیر باغی رهین وحید باغی رهین
زبان : فارسی سال انتشار : 1396 محل پذیرش : اولین کنفرانس ملی پژوهش های کاربردی در علوم و مهندسی